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本文介绍了下一代碳化硅（SIC）平面MOSFET、沟槽结构肖特基二极管和沟槽MOSFET器件。首先，开发了SiC平面MOSFET，可以抑制在正向电流通过时引起寄生PN结二极管的劣化。其次，开发了新型沟槽SiC肖特基二极管，与传统SiC二极管相比，在可接受的漏电流条件下，具有更低的正向压降。第三，开发了新型双沟槽结构SiCMOSFET，在保持超低导通电阻的同时提高了器件的可靠性，其主要原因在于新结构有效降低了槽栅底部的最大电场强度，抑制了栅氧的击穿。