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由于CuInSe2（简称CIS）薄膜太阳能电池材料的吸收系数高、带隙可控、结晶品质高、弱光性能好、抗辐射能力强、电池性能稳定、制造成本低、光电转换效率达到了21.5%,其相应的薄膜制备工艺成为了太阳能电池行业主要生产方向之一。该文在特定的实验条件下,通过实验分析测试,简要介绍了CuIn金属预置层以及硒化温度对CIS薄膜制备产生的可能影响。