【摘 要】
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采用MEMS技术制备了尺寸为500μm×100μm×15μm的微尺度磁致伸缩材料传感器,发现MEMS技术沉积过程中传感器内部不可避免地产生了内应力,对传感器磁性能带来不利影
【机 构】
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常州大学材料科学与工程学院,奥本大学材料系
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采用MEMS技术制备了尺寸为500μm×100μm×15μm的微尺度磁致伸缩材料传感器,发现MEMS技术沉积过程中传感器内部不可避免地产生了内应力,对传感器磁性能带来不利影响.对徽尺度磁致伸缩材料传感器进行真空热处理,旨在消除内应力,进一步提高传感器磁学性能.结果表明：真空退火可减小或消除传感器内应力,提高磁学性能,其中最佳退火温度为250℃,时间为2h.该温度下退火不仅可完全释放传感器内应力,还可以改善波谱质量,提高共振频率.
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