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目的通过在Cr膜中添加SnAl元素及中温液相烧结,提高锆合金膜基界面结合强度。方法在Cr靶中添加SnAl元素,制备一种均匀分布的CrSnAl合金靶材(原子比Cr:Sn:Al=95:4:1),并利用直流磁控溅射(DCMS)技术在锆合金表面制备约5μm厚的CrSnAl膜层,再将CrSnAl膜层试样放入Ar保护气氛炉中进行中温烧结(温度为600℃,时间为30min),随炉冷却至室温。利用XRD、SEM、EDS及体式显微镜分析中温烧结对CrSnAl膜层形貌、组织结构及元素扩散的影响;根据涂层弯曲断裂形貌、切削划痕