【摘 要】
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利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术,以硅烷、硼烷、氢气为气源,在玻璃衬底上沉积氢化菲晶硅薄膜.分析了气体的压强和射频功率两个参数对薄膜的沉积速率、折射率和晶化程
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利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术,以硅烷、硼烷、氢气为气源,在玻璃衬底上沉积氢化菲晶硅薄膜.分析了气体的压强和射频功率两个参数对薄膜的沉积速率、折射率和晶化程度的影响.载流子的浓度随着射频功率的增加呈现先增加后下降的趋势;随着压强的增加,载流子的浓度出现先下降后增加的趋势;压强和射频功率对载流子迁移率的影响与对浓度的影响趋势相反.多次沉积薄膜后真空室的环境也对非晶硅薄膜的性质,如折射率、薄膜厚度、载流子浓度等造成影响。
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