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<正> 电子亲合势是半导体能带结构中的重要参数,对研究光电池、异质结、衬底或电极对样品的影响有重要意义,然而这个参数目前尚无法直接测定。近年来,我们以SiO_2和Al_2O_3为衬底研究了多种不同结构、不同厚度、不同组分的金属氧化物薄膜。在查找SiO_2和Al_2O_3的电子亲合势中,发现它们目前尚无确定的参数,而