【摘 要】
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一、引言1972年,日本京都大学Takagi和Yamada等人提出一种新型的离子源,发明了离化原子群束(Ionized cluster beams)外延技术。ICB外延是一种非平衡条件下的真空蒸发和离子
【机 构】
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清华大学工程物理系,清华大学工程物理系,清华大学工程物理系,清华大学工程物理系
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一、引言1972年,日本京都大学Takagi和Yamada等人提出一种新型的离子源,发明了离化原子群束(Ionized cluster beams)外延技术。ICB外延是一种非平衡条件下的真空蒸发和离子束方法相结合的薄膜淀积新工艺。它具有三个主要特点:1.离化原子群的荷质比小,能在低能量获得高的淀积速率;2.容易控制离化原子群的能量和离子含量,可
I. INTRODUCTION In 1972, Takagi and Yamada of Kyoto University proposed a new type of ion source and invented the ionized cluster beams epitaxial technique. ICB epitaxy is a non-equilibrium condition of vacuum evaporation and ion beam method combined with a new thin film deposition process. It has three main features: 1. The dissimilatory atomic group of the charge-mass ratio is small, low-energy access to high deposition rate; 2. Easily control the ionized atomic energy and ion content can be
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