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近日,韩国汉阳大学和浦项科技大学的研究人员通过对硒化镉量子点悬浮栅进行表面改良,大幅改善了光敏有机场效应晶体管性能,开发出全新光敏有机场效应晶体管存储器。研究人员利用磷酸正十八酯（ODPA）和全氟化硫醇配体对硒化镉量子点悬浮栅进行了表面修饰,改善了光敏有机场效应晶体管导电沟道与量子点之间的空穴扩散,使器件在低强度光（功率密度约为0。7mW/cm2）诱导下的恢复时间缩短至1s。