精神分裂症感觉门控电位P50和惊跳反射弱刺激抑制的相关性

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目的:探讨精神分裂症患者感觉门控电位P50和惊跳反射弱刺激抑制(PPI)的特征以及两者的相关性。方法:选取符合美国精神障碍诊断与统计手册第4版(DSM-IV)的精神分裂症患者78例,正常对照90例,使用阳性和阴性症状量表(PANSS)评定精神分裂症患者的临床精神病理症状;使用脑电生理记录仪,采用听觉条件(S1)-测试(S2)刺激范式进行P50检测;使用SR-HLAB惊跳反射监控系统测查听觉惊跳反射。结果:精神分裂症组的S1波幅低于对照组[(2.9±1.7)μV vs.(3.7±2.0)
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