【摘 要】
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以SF6/O2作为刻蚀气体,用磁增强反应离子刻蚀（MERIE）技术,对磁控溅射法制备的Pt电极进行了刻蚀。结果表明：Pt的刻蚀速率与刻蚀气体的混合比率以及刻蚀功率都有一定关系。在相同
【机 构】
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湖北大学物理学与电子技术学院铁电压电材料与器件湖北省重点实验室
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以SF6/O2作为刻蚀气体,用磁增强反应离子刻蚀（MERIE）技术,对磁控溅射法制备的Pt电极进行了刻蚀。结果表明：Pt的刻蚀速率与刻蚀气体的混合比率以及刻蚀功率都有一定关系。在相同功率下,R[O2∶（SF6＋O2）]=2/6,刻蚀速率达到极大值,功率为120W时,刻蚀速率极大值为12.4nm/min。AFM分析表明,薄膜表面的粗糙度随刻蚀功率增加而变大,均方根粗糙度从120W时的0.164nm增加到160W时的0.285nm。经优化工艺参数刻蚀后的Pt电极图形结构平整,边缘整齐。
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