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用退火的方法改变了纳米硅薄膜的微结构。用Ｒａｍａｎ散射和共振核反应方法分析了薄膜的微结构变化。结果表明，薄膜的氢含量是影响薄膜光学带隙的主要因素，而薄膜的晶态体积比和晶粒尺寸是影响薄膜导率的主要因素。
纳米硅薄膜微结构变化对薄膜光电性质的影响
【摘 要】
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用退火的方法改变了纳米硅薄膜的微结构。用Ｒａｍａｎ散射和共振核反应方法分析了薄膜的微结构变化。结果表明，薄膜的氢含量是影响薄膜光学带隙的主要因素，而薄膜的晶态体积比和晶粒尺寸
【机 构】
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西安理工大学理学院,西安,710048
【出 处】
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西安理工大学学报
【发表日期】
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1997年4期
【基金项目】
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机械工业部科技基金!96251412
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