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采用非抛物性能带模型，对6H-SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(Ensemble Monte Carlo)研究．研究表明：温度为296K时，电子横向漂移速度在电场为2．0×10^4V／cm处偏离线性区，5．0×10^5V／cm处达到饱和,由EMC方法得到的电子横向饱和漂移速度为1．95×10^7cm／s，纵向为6．0×10^6cm／s，各向异性较为显著，当电场小于1．0×10^6V／cm时，碰撞电离效应对高场电子漂移速度影响较小。另一方面，高场下