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用金属有机化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上成功外延了高P组分的GaN1-xPx三元合金，俄歇电子能谱深度剖面结果表明在GaN1-xPx中P的掺入量最高达到20％且分布均匀；X射线光电子能谱价态分析证实了外延层中Ga-P键的存在，对不同P组分的GaN1-xPx样品进行了低温光致发光（PL）测试，与来自GaN衬底的带边发射相比，随三元合金中P组分的变化，GaN1-xPx的PL峰呈现了不同程度的红移，在GaN1-xPx的PL谱蝇没有观测到有关GaP的发射峰，表明该合金材料没有发生相分离。