【摘 要】
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利用磁控溅射与微细加工技术,将B/Ti多层膜沉积在TaN模桥制备了（B/Ti）n/TaN薄膜点火桥（膜桥）,其中TaN膜桥的尺寸为80m×40m×2m,B/Ti多层膜尺寸为4mm×4mm,层数为40
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【基金项目】
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国防预研基金资助(9140A12040412DZ02138)
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利用磁控溅射与微细加工技术,将B/Ti多层膜沉积在TaN模桥制备了（B/Ti）n/TaN薄膜点火桥（膜桥）,其中TaN膜桥的尺寸为80m×40m×2m,B/Ti多层膜尺寸为4mm×4mm,层数为40层,第一层B厚度400nm,其后每层B或Ti厚度为200nm,总μμμ厚度约8m。用电压40V、电容47F的钽电容对样品进行发火性能测试。结果表明：TaN膜桥的点火延迟时间为85s、点火输μμμ入能量15mJ、爆炸温度2500-3500K、火焰持续时间0.15ms左右、炸药持续高度
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