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本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱激光器材料。利用该材料制作的应变量子阱列阵半导体激光器准连续（100Hz,100μs）输出功率达到80W（室温），峰值波长为978－981nm。
980nm高功率列阵半导体激光器
【摘 要】
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本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱激光器材料。利用该材料制作的应变量子阱列阵半导体激光器准连续（100Hz
【机 构】
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吉林大学电子工程系,长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室
【出 处】
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光子学报
【发表日期】
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2000年Z01期
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