【摘 要】
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本文报道了通过衬底材料选取,图形选择、场限制环的设置,场板极的选用,提高VDMOS和VDMOS/npn复合结构击穿电压的方法,获得使VDMOS的击穿电压达到450V,VDMOS/npn复合结构的击
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本文报道了通过衬底材料选取,图形选择、场限制环的设置,场板极的选用,提高VDMOS和VDMOS/npn复合结构击穿电压的方法,获得使VDMOS的击穿电压达到450V,VDMOS/npn复合结构的击穿电压为330V的平面技术.
In this paper, the method to improve the breakdown voltage of VDMOS and VDMOS / npn composite structures by selecting the material of the substrate, selecting the pattern, setting the field limiting loop, selecting the field plate pole, and obtaining the breakdown voltage of the VDMOS reaching 450V, the VDMOS / npn composite structure of the breakdown voltage of 330V planar technology.
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