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据J·Appl.Phys.1978年49卷12期报导,日本富f士通研究所研制成功一种新式硅雪崩光电二极管,其结构为 n~+—P—π—P~+,衬底采用<110>晶向的π/P~+外延片。通过硼离子沟道注入(800千电子伏),形成 P 层,经浅磷扩散0.3μm 构成 n~+层。其结构以及与随机注入的器件之特性比较示意图中。