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针对Flash写前需擦除，读写I／O开销不均衡等固有缺陷，研究面向闪存缓冲区管理，对提高基于Flash的固态硬盘（SolidState Disk，SSD）访问性能具有重要理论意义和应用价值．通过分析SSD关键技术及现有缓冲区管理算法，实现了一种适用于SSD的基于写数据页聚簇缓冲算法．文章中详细介绍了该算法关键技术及原理，并通过FlashSim仿真平台实现SSD写缓冲．基于仿真结果与传统缓冲算法性能比对，分析得出该缓冲算法可降低SSD随机写次数和SSD数据存储分散性，并提升SSD响应速度．