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采用磁控溅射法以铌(Nb)掺杂氧化铟锡(ITO)为靶材制备了厚度为300 nm的ITO:Nb薄膜,研究了不同基底温度下,薄膜的结构、导电性和可见光区的透过率.XRD分析表明所制备的ITO:Nb薄膜均为In2O3相；AFM显示ITO:Nb薄膜的均方根粗糙度随着温度的升高逐渐变大;薄膜的电阻率随着温度的升高逐渐减小,在300℃时得到最小值1.2× 10-4Ω·cm.电阻率下降主要是因为霍耳迁移率增大和载流子浓度逐渐增加.ITO:Nb薄膜在可见光内的平均透过率均大于87％,且随着温度的升高,吸收边发生“红移”,禁带宽度逐渐增加.