【摘 要】
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在集成电路制造中,随着工艺节点的提升,受光刻成像解析度的限制,光刻焦深越来越小,导致了光刻的工艺窗口的降低,对硅片表面形貌的均匀性要求却越来越高。因此化学机械研磨被
【机 构】
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上海交通大学电子信息与电气工程学院
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在集成电路制造中,随着工艺节点的提升,受光刻成像解析度的限制,光刻焦深越来越小,导致了光刻的工艺窗口的降低,对硅片表面形貌的均匀性要求却越来越高。因此化学机械研磨被越来越多地被应用在表面形貌的平坦化工艺中。在以往的建模过程中,后段工艺因布线的复杂性和材质间差异的问题,而成为首先被考虑的对象。当工艺节点到28nm之后,前段器件制造中的CMP工艺之后的形貌也成为不可忽略的一个因素。一方面,在当层所造成的表面起伏差异导致光刻曝光的问题。另一方面,在多层叠加的效果对后段层次叠加造成的影响也不再可忽视。在本文中,我
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