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对最基本的场板结构,通过理论推导,深入讨论了场板下氧化层厚度与击穿电压、氧化层玷污所带正电荷电量之间的关系;又给出了场板长度值与击穿电压和P+区结深之间的关系.为VDMOSFET的结构设计和工艺实施提供了理论的依据.
VDMOSFET终端场板的设计考虑
【摘 要】
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对最基本的场板结构,通过理论推导,深入讨论了场板下氧化层厚度与击穿电压、氧化层玷污所带正电荷电量之间的关系;又给出了场板长度值与击穿电压和P+区结深之间的关系.为VDMO
【机 构】
：
辽宁大学物理系广州海装驻广州地区军代表室;
【出 处】
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辽宁大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2001年4期
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