【摘 要】
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在中国国家自然科学基金重大项目《先进电子制造中的重要科学技术问题研究》资助下，针对2nm厚度的DLC薄膜的制备和磁头、磁盘间的吸附等问题，探索“磁头、磁盘表面润滑规律和超
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在中国国家自然科学基金重大项目《先进电子制造中的重要科学技术问题研究》资助下，针对2nm厚度的DLC薄膜的制备和磁头、磁盘间的吸附等问题，探索“磁头、磁盘表面润滑规律和超薄保护膜的生长机理及技术”，目标是寻找磁头、磁盘表面超薄DLC薄膜新的制备方法和制备工艺，发现超薄DLC保护膜的生长机理和生长极限，开发磁头表面抗吸附分子膜的制备技术。报告研究所取得的体系化理论成果。 为了制备厚度为2nm的超薄DLC薄膜，使用FCVA技术代替磁控溅射和CVD技术。通过优化制备参数，制备出厚度为2nm，表面粗糙度为0.128nm，并且连续均匀的DLC薄膜。探索基体形貌对薄膜生长模式的影响规律。发现在脉冲偏压幅值-100V、占空比20%条件下制备的薄膜性能最优
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