【摘 要】
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分别采用单质Te，Si，Se和Ti，卤化物MnCl2，CdCl2,ZnF2，NaF等8种活性荆进行铝合金直流正接A-TIG焊，研究了活性荆对熔深的影响，试验结果表明：Te使熔深增加的同时减小熔宽，而Si，Se和Ti对熔深
【机 构】
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兰州理工大学甘肃省有色金属新材料省部共建国家重点实验室,兰州理工大学有色金属合金省部共建教育部重点实验室
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分别采用单质Te，Si，Se和Ti，卤化物MnCl2，CdCl2,ZnF2，NaF等8种活性荆进行铝合金直流正接A-TIG焊，研究了活性荆对熔深的影响，试验结果表明：Te使熔深增加的同时减小熔宽，而Si，Se和Ti对熔深增加的作用不明显；卤化物MnCl2，CdCl2，ZnF2，NaF都使熔深减小的同时也减小熔宽。同时进行了焊缝偏移试验。在此基础上分析了活性荆对导电通道电阻的影响。认为在单质组成的活性荆中，Te使得整体导电通道电阻增大；在卤化物活性荆中，NaF使得整体导电通道的电阻减小，而MnCl2，CdC
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