【摘 要】
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本文研究了影响激光加热小平面基座法生长的单晶光纤品质的因素。实验得出:在一定的拉速与送速的速度比下,生长无明显的显微映陷单晶光纤的熔区长度 L_P=k(D+d),(D、d 分别为
【机 构】
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浙江大学研究生院,浙江大学研究生院杭州,杭州,杭州
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本文研究了影响激光加热小平面基座法生长的单晶光纤品质的因素。实验得出:在一定的拉速与送速的速度比下,生长无明显的显微映陷单晶光纤的熔区长度 L_P=k(D+d),(D、d 分别为源棒和光纤直径),对于 Nd:YAG 和 Al_2O_3,k 分别为0.70±0.04和0.65±0.03。在源棒直径 D 与送速 V_S不变的条件下,拉速 V_(?)越大,所需的加热功率越小,理论分析与实验结果相一致。研究了影响生长的光纤直径波动的因素,解释了直径波动百分比随着速度比增大而增大的实验事实。
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