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采用新型内置低感应天线电感耦合化学气相沉积系统沉积P型微晶硅薄膜，使用郎缪尔探针对等离子体参数进行诊断。研究发现离子密度（N．）可以达到10^11-10^12cm-1，而电子温度（Te）约在2eV，且随着功率的增大略有下降。P型微晶硅薄膜沉积在玻璃衬底上，研究了功率和气压对其结构和性能的影响。通过在一定SiH4：B2H6：H2流量比例下优化工艺参数，结果能在高沉积速率1nm／s的条件下制备高品质微晶硅薄膜。