【摘 要】
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本文介绍用于射电天文接收系统的3.8cm低噪声GaAs FET放大器的研制情况,给出了低噪声FET放大器电蹯的设计与调整方法及由三级FET组成的放大器的实测性能:在8.2～8.6GHz(实际为8
【机 构】
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合肥低温电子研究所,合肥低温电子研究所,合肥低温电子研究所
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本文介绍用于射电天文接收系统的3.8cm低噪声GaAs FET放大器的研制情况,给出了低噪声FET放大器电蹯的设计与调整方法及由三级FET组成的放大器的实测性能:在8.2～8.6GHz(实际为8.2～8.8GHz)范围内,噪声系数在2.3dB～2.6dB之间(含输入波导-同轴转换隔离器,输出隔离器及后置接收系统的影响),相应的增益为30dB。如果对电路作进一步改进,并对输入隔离器的插入损耗、隔离度和驻波等指标进一步提高的话,可使噪声系数≤2.0dB。
This article describes the development of a 3.8-cm low-noise GaAs FET amplifier for a radio astronomy receiver system. The design and adjustment methods for a low-noise FET amplifier and the measured performance of an amplifier consisting of a three-stage FET are given: GHz (actually 8.2 ~ 8.8GHz), the noise figure is between 2.3dB ~ 2.6dB (including input waveguide - coaxial conversion isolator, output isolator and rear receiving system), the corresponding gain is 30dB . If the circuit for further improvement, and the input isolator insertion loss, isolation and standing wave and other indicators to further improve, the noise figure can be ≤ 2.0dB.
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