【摘 要】
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该文为了制备一种高透过率、高导电、晶格尺寸大的ITO薄膜,探讨制备最佳ITO薄膜的工艺条件,研究了磁控溅射机台的直流功率,射频功率对ITO薄膜的光电性能及形貌的影响.结果 表
【机 构】
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厦门市三安光电科技有限公司芯片部,福建厦门361008
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该文为了制备一种高透过率、高导电、晶格尺寸大的ITO薄膜,探讨制备最佳ITO薄膜的工艺条件,研究了磁控溅射机台的直流功率,射频功率对ITO薄膜的光电性能及形貌的影响.结果 表明:当本体真空在7.0×10-4 Pa条件下,直流功率为200 W,射频功率400 W,氩气流量100 sccm,用600 ℃快速升降温机台进行熔合3mm,可获得方块电阻为50Ω/□,可见光波段透过率为88.7％,大晶格尺寸且发光均匀的高性能ITO薄膜,为生产发光二极管提供了一条高效的制备流程.
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