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利用Atlas器件模拟软件,对MFIS结构器件的C-V特性及记忆窗口进行模拟。讨论了应用电压、绝缘层厚度及绝缘层材料等因素,对MFIS结构器件记忆能力及稳定性的影响,为MFIS结构器件的设计和性能提高提供了参考。
基于Atlas的MFIS结构器件电学性能模拟
【摘 要】
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利用Atlas器件模拟软件,对MFIS结构器件的C-V特性及记忆窗口进行模拟。讨论了应用电压、绝缘层厚度及绝缘层材料等因素,对MFIS结构器件记忆能力及稳定性的影响,为MFIS结构器
【机 构】
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洛阳师范学院物理与电子信息学院
【出 处】
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电子科技
【发表日期】
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2011年6期
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