【摘 要】
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设计了一种可用于射频前端芯片供电的高电源抑制比 （PSR） 无片外电容CMOS低压差线性稳压器 （LDO）.基于对全频段电源抑制比的详细分析, 提出了一种PSR增强电路模块, 使100 kHz和1M
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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设计了一种可用于射频前端芯片供电的高电源抑制比 （PSR） 无片外电容CMOS低压差线性稳压器 （LDO）.基于对全频段电源抑制比的详细分析, 提出了一种PSR增强电路模块, 使100 kHz和1MHz处的PSR分别提高了40 dB和30 dB; 加入串联RC补偿网络, 保证了电路的稳定性; 在LDO输出至误差放大器输入的反馈回路引入低通滤波模块, 降低了由于输出端接不同负载对反馈回路的影响.电路采用UMC 65 nm RF CMOS工艺进行设计和仿真, 整个芯片面积为0.028 mm2, 仿真结果表明,
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