【摘 要】
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用CW Ar~+激光对B~+注入(60keV,5×10~(15)cm~(-2))非晶硅SOM材料进行辐照再结晶,获得了高灵敏度的压阻材料,其GF在30左右。结晶后的晶粒增大到10μm×40μm,且杂质分布均匀,
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所
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用CW Ar~+激光对B~+注入(60keV,5×10~(15)cm~(-2))非晶硅SOM材料进行辐照再结晶,获得了高灵敏度的压阻材料,其GF在30左右。结晶后的晶粒增大到10μm×40μm,且杂质分布均匀,电学性质大大提高。用该材料制备的桥路压力传感器,灵敏度为6mV/V bar,具有良好的输出线性度。
The B + implanted (60keV, 5 × 10 ~ (15) cm ~ (-2)) amorphous silicon SOM materials were irradiated and recrystallized with CW Ar ~ + laser to obtain highly sensitive piezoresistance materials. The GF Around 30. Crystallized grains increased to 10μm × 40μm, and the impurity distribution, electrical properties greatly improved. The bridge pressure sensor made of this material has a sensitivity of 6mV / V bar and good output linearity.
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