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分别在未沉积Ge和不同衬底温度（300、500、700℃）沉积Ge条件下，利用固源分子束外延（SSMBE）技术在Si衬底上外延SiC薄膜。通过反射式高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和傅里叶变换红外光谱（FFIR）等仪器对样品进行测试。测试结果表明，预沉积Ge的样品质量明显好于未沉积Ge的样品，而且随着预沉积温度的升高，薄膜的质量在逐渐地变好。