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传统GaInP/（In）GaAs/Ge三结太阳电池因受其带隙组合的限制，转换效率再提升空间不大.倒装结构三结太阳电池因其更优的带隙组合期望可以得到更高的效率.基于细致平衡原理，结合P-N结形成机理，应用MATLAB语言对双晶格失配GaInP（1.90 eV）/InxGa1-xAs/InyGa1-yAs倒装结构三结太阳电池底、中电池的不同带隙组合进行模拟优化.模拟结果表明在AM1.5D，500倍聚光（500 suns）下，禁带宽度组合为1.90/1.38/0.94 eV的带隙最优，综合材料成本与试验条件，当