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利用离子束镀膜技术,在非超高真空(1.33×10-3Pa)下,采用离子束清洗衬底表面和对衬底加热的辅助方法,在单晶Si衬底上淀积Co薄层,再在Co层上淀积Si保护层,然后在570—680℃下进行真空(6.67×10-3Pa)退火,能形成有害杂质（O、C等）含量少且界面区域过渡陡峭的CoSi2/Si异质结。本文利用俄歇电子能谱（AES）,X射线光电子谱（XPS）和紫外光电子谱（UPS）对样品的组分、化学相和电子结构进行了分析。