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美国美光科技与英特尔将从2008年下半年开始量产采用34nm工艺技术的多值NAND型闪存。该闪存1个芯片的容量为32Gbit，可用于SSD（固态硬盘）。容量比32Gbit小的多值和非多值（SLC：单层单元闪存）产品也将陆续在2008年内投产。
美光·英特尔联盟将投产34nm工艺多值NAND型闪存
【摘 要】
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美国美光科技与英特尔将从2008年下半年开始量产采用34nm工艺技术的多值NAND型闪存。该闪存1个芯片的容量为32Gbit，可用于SSD（固态硬盘）。容量比32Gbit小的多值和非多值（SLC：单层
【出 处】
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光机电信息
【发表日期】
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2008年6期
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