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研制了一种采用0.35μm标准CMOS工艺制造的,集成ISFET/REFET及其信号处理电路于一体的集成化芯片系统(SOC).其中ISFET敏感膜为采用电化学法制备的导电聚合物Ppy(聚吡咯),通过对各种条件的优化,最终得到了pH响应为56mV/pH的高灵敏度.
基于Ppy敏感膜的pH-ISFET研制
【摘 要】
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研制了一种采用0.35μm标准CMOS工艺制造的,集成ISFET/REFET及其信号处理电路于一体的集成化芯片系统(SOC).其中ISFET敏感膜为采用电化学法制备的导电聚合物Ppy(聚吡咯),通过对各种条件的优化,最终得到了pH响应为56mV/pH的高灵敏度.
【机 构】
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中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京,100080;中国科学院研究生院,北京,100080
【出 处】
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第四届全国信息获取与处理学术会议
【发表日期】
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2006年11期
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