【摘 要】
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利用MOCVD在Al2O3(0001)衬底上制备InGaN/GaNMQW结构蓝光LED外延片。以400mW中心波长405nm半导体激光器作为激发光源,采用自主搭建的100~330K低温PL谱测量装置,以及350~610K
【机 构】
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商洛学院化学工程与现代材料学院,南昌大学材料科学与工程学院,南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心,安徽工业大学数理科学与工程学院
【基金项目】
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国家重点研发计划(2017YFB0403700);国家自然科学基金(61864008);安徽省自然科学面上基金(1808085MF205);陕西省自然科学基础研究计划(2017JQ6011)资助项目~~
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利用MOCVD在Al2O3(0001)衬底上制备InGaN/GaNMQW结构蓝光LED外延片。以400mW中心波长405nm半导体激光器作为激发光源,采用自主搭建的100~330K低温PL谱测量装置,以及350~610K高温PL测量装置,测量不同温度下PL谱。通过Gaussian分峰拟合研究了InGaN/GaNMQW主发光峰、声子伴线峰、n-GaN黄带峰峰值能量、相对强度、FWHM在100~610K范围的温度依赖性。研究结果表明:在100~330K温度范围内,外延片主发光峰及其声子伴线峰值能量与FWHM温
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