论文部分内容阅读
<正> 薄膜磊晶成长在近年来为一颇受注目之研究课题。以往曾有报导在铁/矽系统中,α相铁在30℃得在氢氟酸清洁之(111)矽晶上以磊晶方式成长。其方位关系为[111]α—Fe∥[111]si及(110)α—Fe∥(220)Si。至於铜在(111)矽晶上磊晶成长,则发现(111)Cu面与(111)Si面相对转了30°。本文报导以穿透式电子显微镜探讨铜与铁薄膜在(111)矽晶上磊晶成长的结果。将300埃厚之铜或铁薄膜在超高真空状态下於室温以电子枪蒸镀於经特殊处理(111)矽晶面上,利用一点