【摘 要】
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利用原子层沉积(ALD)技术选择性沉积SiO2于Mo/HZSM-5催化剂外表面,制备一系列硅修饰的Mo/HZSM-5催化剂,并考察其催化甲烷无氧芳构化反应的性能.通过XRD、NH3-TPD、BET、XPS、
【机 构】
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中国科学院山西煤炭化学研究所,煤转化国家重点实验室,山西太原030001;中国科学院大学,北京100049
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利用原子层沉积(ALD)技术选择性沉积SiO2于Mo/HZSM-5催化剂外表面,制备一系列硅修饰的Mo/HZSM-5催化剂,并考察其催化甲烷无氧芳构化反应的性能.通过XRD、NH3-TPD、BET、XPS、TEM等表征手段对其进行表征,结果发现,ALD沉积二氧化硅于Mo/HZSM-5后,SiO2主要沉积于催化剂外表面,催化剂中强酸含量下降,提高了催化剂催化甲烷无氧芳构化性能.
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