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首先描述先进的0.18μm SiGe-biCMOS生产流程(SiGe 120)并讨论在设计SiGe 90时如何对性能、成本和特性进行平衡以应对通信市场的需求.在此基础上,我们讨论了针对40Gb以上通讯应用而开发的当今世界领先的200 GHz SiGe BiCMOS加工工艺.此工艺集成了双栅0.13μm的数字CMOS电路和SiGe晶体管电路.