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用光谱响应测试仪得到了反射式梯度掺杂GaN光电阴极在激活和衰减过程中的光谱响应曲线，发现此曲线不断发生变化。在激活过程中光谱响应不断提高，且长波响应提高较快；衰减过程中光谱响应不断下降，长波响应下降得更快。结果表明；光谱响应曲线的变化与光电阴极高能光电子的逸出有关。GaN光电阴极发射的电子能量分布随入射光子能量升高而向高能端偏移，阴极表面势垒形状的变化对低能光激发电子的影响更大，导致光谱响应曲线随入射光波长改变而产生了不同的变化。