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对MOS器件在低剂量率γ射线辐射条件下的偏置效应进行了研究.对不同偏置及退火条件下MOS器件辐照后的阈值电压漂移进行了对比.结果表明,偏置在MOS器件栅氧化层内产生电场,增强了辐照产生电子-空穴对的分离,同时,影响了正电荷(包括空穴和氢离子)的运动状态;此外,偏置对退火同样有促进作用.
低剂量率下MOS器件的辐照效应
【摘 要】
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对MOS器件在低剂量率γ射线辐射条件下的偏置效应进行了研究.对不同偏置及退火条件下MOS器件辐照后的阈值电压漂移进行了对比.结果表明,偏置在MOS器件栅氧化层内产生电场,增
【机 构】
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西安电子科技大学,西北核技术研究所,昆仑机械厂
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2002年1期
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