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超薄、平整的硅应变薄膜对于制作低量程的电容式压力传感器是非常重要的。提出一种简单的超薄薄膜制作方法，利用浓硼扩散、KOH自停止腐蚀和LPCVD等关键技术，得到了厚度4μm左右的平整的Si(P++)/Si3N4复合薄膜。由于内应力引起的挠度在几百纳米数量级，为制作压力传感器奠定了有用的工艺基础。
一种超薄硅薄膜的制作方法
【摘 要】
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超薄、平整的硅应变薄膜对于制作低量程的电容式压力传感器是非常重要的。提出一种简单的超薄薄膜制作方法，利用浓硼扩散、KOH自停止腐蚀和LPCVD等关键技术，得到了厚度4μm左右
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2002年4期
【基金项目】
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上海市科学技术发展基金和王宽诚博士后基金资助
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