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试验用功率MOSFET驱动氢闸流管,做成幅度可达15kV、前沿小于10ns、抖动低于1ns的高压纳秒级前沿脉冲源.简要介绍了脉冲源的电路结构,着重从氢闸流管储氢器加热电压、阴极加热电压、触发脉冲幅度、前沿和延迟几方面测量分析了其对脉冲源输出特性的影响.
低抖动纳秒级前沿的氢闸流管高压脉冲源
【摘 要】
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试验用功率MOSFET驱动氢闸流管,做成幅度可达15kV、前沿小于10ns、抖动低于1ns的高压纳秒级前沿脉冲源.简要介绍了脉冲源的电路结构,着重从氢闸流管储氢器加热电压、阴极加热
【机 构】
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中国工程物理研究院
【出 处】
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强激光与粒子束
【发表日期】
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2004年2期
【基金项目】
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国防科技应用基础研究基金
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