场引晶体管理论:XII.双极飘移扩散电流(薄及厚、纯及不纯基体,单及双MOS栅极)

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:HanMa_1978
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上篇论文(XI)报告双极场引晶体管的电化电流理论,这篇论文(XII)报告飘移扩散理论.两篇都讨论了单栅双栅,纯基不纯基,薄基厚基的情形.两篇都用表面及内部电势作为参变量耦合电压方程和电流方程.在这飘移扩散理论中,有许多电流项,属飘移电流的用迁移率因子标识,属扩散电流的用扩散率因子标识.给出完备飘移扩散解析方程,用以计算四种常用MOS晶体管的直流电流电压特性.飘移电流有四项:一维体电荷漂移项,一维载子空间电荷漂移项,一维横向电场漂移项,二维漂移项.扩散电流有三项:一维体电荷扩散项,一维载子空间电荷扩散项,二
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