【摘 要】
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利用Gaussian 03从头算程序,采用密度泛函理论（DFT）对导电高分子材料噻吩寡聚体进行了结构与性能关系讨论.选择B3LYP泛函,在B3LYP/6-31＋G（d）基组水平下对没有电荷掺杂（nT,n=1/2,1,3
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利用Gaussian 03从头算程序,采用密度泛函理论（DFT）对导电高分子材料噻吩寡聚体进行了结构与性能关系讨论.选择B3LYP泛函,在B3LYP/6-31＋G（d）基组水平下对没有电荷掺杂（nT,n=1/2,1,3/2,2,5/2,3）和有电荷掺杂（nT＋,n=1/2,1,3/2,2,5/2,3）的1-6个环的噻吩寡聚体进行了几何全优化计算,对得到的几何结构、前线轨道能级差和激发能等进行分析发现,聚噻吩导电性能随着链长的增加而增加.链长增加到一定程度后导电性的增加不明显.电荷掺杂形成了极子能级,明显降
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