随机静态存储器低能中子单粒子翻转效应

来源 :强激光与粒子束 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dorothyhe
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建立了中子单粒子翻转可视化分析方法,对不同特征尺寸(0.13~1.50μm)CMOS工艺商用随机静态存储器(SRAM)器件开展了反应堆中子单粒子翻转效应的实验研究,获得了SRAM器件的裂变谱中子单粒子翻转截面随特征尺寸变化的变化趋势。研究结果表明:SRAM器件的特征尺寸越小,其对低能中子导致的单粒子翻转的敏感性越高。
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