为了探究基于回想和熟悉性的外显记忆及基于启动的内隐记忆在编码阶段的认知加工差异,该文采用事件相关电位(ERP)技术,并结合迫选再认测验和相继记忆(Dm)范式,把学习项目分为四类:随后记住、随后知道、随后启动及随后忘记。结果表明,与启动关联的Dm效应表现在刺激后700 ms开始的中央区,随后启动比随后忘记更为负走向,即负走向的Dm效应;与回想关联的Dm效应表现为从400 ms开始的右前额区正走向Dm效应以及800 ms开始的枕区负走向Dm效应,而与熟悉性关联的Dm效应表现在300~400 ms的前额区及500~600 ms的顶区正走向Dm效应。为了进一步确定这些Dm效应与不同记忆类型的关联,第二个实验中在编码阶段同时设置了干扰任务,以探究编码干扰下Dm效应的变化,结果发现,在编码干扰的作用下,与启动关联的中央区负走向Dm效应仍有存在,而与两种外显记忆:回想和熟悉性关联的Dm效应发生了不同的变化,即在编码干扰下并未发现任何与回想关联的Dm效应,但与熟悉性关联的正走向Dm效应仍有存在,主要表现在600~800 ms的右侧额区。综合这些结果,表明回想、熟悉性与启动在编码阶段的脑机制应该存在着分离的现象。