【摘 要】
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据报导用最新的GaAsFET可和新的InP耿效应器相竞争。 根据Varian研究小组报导,至少在18.5～26千兆赫下性能非常好。由M·N等人设计的单级放大器证明,18.5～20.5千兆赫频段的增益
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据报导用最新的GaAsFET可和新的InP耿效应器相竞争。 根据Varian研究小组报导,至少在18.5～26千兆赫下性能非常好。由M·N等人设计的单级放大器证明,18.5～20.5千兆赫频段的增益为9±1分贝,23～26千兆赫频段的增益达8±1分贝。调准最小的中波段噪声系数,末尾的放大器显示了在24千兆赫下噪声系数5.6分贝,并有振荡增益5.0分贝。
It is reported that the latest GaAsFET can compete with the new InP Geng effectors. According to the Varian team, performance is excellent at least at 18.5-26 GHz. The single-stage amplifier designed by M.N. et al. Demonstrated a gain of 9 ± 1 dB for the 18.5-20.5 GHz band and a gain of 8 ± 1 dB for the 23-26 GHz band. The lowest mid-band noise figure was adjusted, and the final amplifier showed a noise figure of 5.6 dB at 24 GHz with an oscillation gain of 5.0 dB.
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