【摘 要】
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提出一种用于CMOS图像传感器的新型光电检测器———双极结型光栅晶体管 ,并建立了其解析模型 .基于0 6 μmCMOS工艺参数的模拟结果表明双极结型光栅晶体管具有传统光栅晶体
【机 构】
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中国科学院微电子中心,中国科学院微电子中心,中国科学院微电子中心 北京100029,北京100029,北京100029
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提出一种用于CMOS图像传感器的新型光电检测器———双极结型光栅晶体管 ,并建立了其解析模型 .基于0 6 μmCMOS工艺参数的模拟结果表明双极结型光栅晶体管具有传统光栅晶体管的特性 ,但与传统光栅器件相比 ,随着入射光功率的增加 ,双极结型光栅晶体管的光电流密度呈指数式增长 ,且其蓝光响应特性得到改善 .
A novel photodetector, a bipolar junction grating transistor, is proposed for CMOS image sensor and its analytical model is established.The simulation results based on 0 6 μm CMOS process parameters show that the bipolar junction grating transistor has a traditional grating transistor However, with the increase of incident light power, the photocurrent density of bipolar junction grating transistor increases exponentially compared with that of the conventional grating device, and its blue-light response is improved.
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