【摘 要】
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采用射频磁控溅射方法在硅（100）衬底上制备了不同含量元素钕（Nd）掺杂的氧化锌薄膜.XRD分析表明,所有ZnO薄膜都具有c轴择优取向.随着Nd掺杂量的增加,（002）衍射峰的强度减弱,颗粒的尺
【机 构】
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中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(81071264,30770588);广东省自然科学基金(C010515)~~
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采用射频磁控溅射方法在硅（100）衬底上制备了不同含量元素钕（Nd）掺杂的氧化锌薄膜.XRD分析表明,所有ZnO薄膜都具有c轴择优取向.随着Nd掺杂量的增加,（002）衍射峰的强度减弱,颗粒的尺寸变小.紫外-可见光谱分析表明,所有薄膜在可见光区的透过率超过85%,随着Nd掺杂量的增加,光学带隙从3.30 eV增加到3.40 eV.用XPS对薄膜的表面化学态进行表征,Nd元素在ZnO薄膜表面以Nd3＋离子态存在.用接触角测试薄膜表面的浸润性,并计算其表面能.用血小板粘附实验研究不同含量Nd掺杂ZnO薄膜的血
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